بررسی خواص اپتیکی بلورهای فتونیکی حاوی گاف نواری
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه
- author سارا شادمهری
- adviser یوسف سید جلیلی محمدرضا ابوالحسنی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1386
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
مطالعه خواص گاف نواری بلورهای فوتونی شامل لایه نقص ابررسانا
موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد می شود. ویژگی نوری چنین موادی بسادگی توسط ثابت دی الکتریک ? بیان می شود. تابش الکترومغناطیسی در چنین محیط هایی به شکل...
15 صفحه اولمحاسبه ساختار نوار کریستالهای فتونیکی دو بعدی و طراحی فیلترهای گاف نواری فتونیکی
کریستالهای فتونیکی یک بعدی رده جدیدی از مواد اپتیکی با مدولاسیون دوره ای در ثابت دی الکتریک می باشند. این مواد مصنوعی گستره ای از بسامدهای ممنوعه را بوجود می آورند که انتشار امواج الکترومغناطیسی در آن گستره کاملا ممنوع است که این گستره بسامد ممنوعه گاف نواری نامیده می شود. این ویژگی خاص از کریستالهای فتونیکی بطرز چشمگیری شارش نور را تغییر داده و با دستکاری فوتونها به کاربردهای بالقوه ای در زمین...
15 صفحه اولبررسی گاف کامل فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی پلاسمایی
: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار میگیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان میدهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظهای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...
full textسنتز شیمیایی و بررسی خواص اپتیکی نانوساختارهای نیمه رسانا با گاف نواری پهن
نانوساختارهای نیمه رسانا به جهت خواص منحصربفرد نوری که از خود نشان می دهند، امروزه موضوع تحقیقات بسیاری می باشند و از این رو با توسعه و تحقیق در این زمینه، قطعات اپتوالکترونیکی متعددی ساخته شده است. در این میان نانوساختارهای یک بعدی و دو بعدی به جهت نسبت سطح به حجم بالا می توانند کاندیدای مناسبی برای بکارگیری در چنین ادواتی باشند. در این رساله سعی شده است ضمن ارائه روشی مناسب و ارزان قیمت برای...
بررسی ویژگیهای ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب تلوراید جیوه در فاز سینابار
در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب تلوراید جیوه در فاز هگزاگونال مورد بررسی و مقایسه قرار میگیرد. محاسبات با استفاده از روش شبهپتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرمافزار کوانتوم اسپرسو صورت گرفته است. . نتایج ساختار نواری نشاندهندۀخاصیت نیمرسانایی این ترکیب در فاز سینابار میباشد. محاسبۀ سهم حقیقی تابع دیالکتریک ضریب شکست برای فاز سینابار را 489/4 میدهد....
full textتأثیر جهتگیری محور اپتیکی بر رفتار گاف باند ناهمسانگرد فوتونی
در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسانگرد یک بعدی با بهرهگیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسانگرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسانگرد ایجاد میشود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسانگرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسانگرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار م...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023